ICP-RIE感应耦合等离子刻蚀 SI 500

ICP-RIE感应耦合等离子刻蚀 SI 500

SI 500是高刻蚀速率、低损伤刻蚀设备，特别针对III-V半导体和微光学应用

主要特点:

高速率刻蚀

低损伤 

高深宽比

高一致性

平板三螺旋天线式PTSA等离子源(P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna

远程控制

应用领域：III-V半导体化合物，微光学，微系统

SENTECH等离子设备操作软件

穿墙式安装方式

干涉式终点探测和刻蚀深度测量系统

系统配置:

PTSA ICP等离子源 (13.56 MHz, 1200 W)，集成自动匹配网络。

RF偏置(13.56 MHz, 600 W)