Panasonic Plasma Dicing 松下等离子切割设备
Plasma Dicer APX300
Plasma Dicer APX300
松下APX300是一款专为高附加值硅基芯片和小型芯片开发的等离子切割设备,与传统机械切割设备相比,具有切割效率高、wafer无损伤、wafer利用率高等特点。
应用领域:高性能传感器/储存器、物联网等领域具有微小、轻薄、易碎、需要清洁等特点的wafer切割,例如:low-k wafer(易碎)、3D/TSV芯片(轻薄)、图像传感器(清洁度要求高)、MEMS(易碎)、RFID芯片(微小)。
等离子切割设备的应用领域
产品优势:
1. 无损伤,切口整齐平整,无杂质碎屑,在电镜下观测形貌无损伤。
等离子切割与传统机械切割在硅片断裂形式上的不同
等离子切割与传统机械切割在切面形貌上平整,且结构上无应力损伤
等离子切割后,芯片的抗弯强度提高并且数据分布窄
2. wafer利用率高、在小芯片切割上具有成本优势
切割道小可达20μm,多可提高30%的wafer利用率
整片一次性切割,芯片尺寸越小,单片效率越高
3. 采用无水工艺、可切割异形芯片
工艺介绍:
工艺一:光刻+等离子切割(多用于<3mm晶片切割)
在表面涂覆光刻胶后进行曝光显影,形成分割好的mask层,然后进行等离子切割切断Si层。
工艺二:激光+等离子切割(多用于>3mm晶片切割)
先在表面贴一层双层mask胶带(上层为保护层、下层为mask层),之后翻面进行背面减薄,翻面并揭掉上面保护层,然后用激光切割mask层和金属层/低介电层,之后再进行等离子切割切断Si层。
整个工艺配套:胶带、背减薄设备、光刻系统、激光器、层压、等离子切割、测试设备
设备基本参数:
设备型号 | APX300 |
等离子源 | ICP等离子体 |
加工用气体 | 4管道(标准) 6管道(可扩展,氯气、氟气、氩气、氧气、氦气等) |
晶圆尺寸 | 12寸 |
体积 | W 1,350 x D 2,230 x H 2,000(不包括触摸屏、操作系统和信号塔) |
重量 | 约2100Kg(具体数值取决于选择配件种类) |
供电 | 三相电、AC200/208/220/230/240V±10V,50/60Hz,21.00kVA |
气源 | 0.5-0.7 MPa,250 L/min (A.N.R.) |
氮气源 | 0.1-0.2 MPa,50 L/min (A.N.R.) |